美光此前宣布，计划在一年后将其高带宽内存(HBM)市场份额从目前的“中个位数”提高到20%左右(即约25%)。但是，该公司并未透露有关如何扩大HBM生产能力的更多细节。日经新闻现在透露了一些潜在计划，并表示美光将扩大其在的生产能力，加强其在美国的研发业务，甚至正在考虑在马来西亚生产HBM3E。这完全是非官方信息，因此请谨慎对待。
HBM是一种DRAM，但它使用的内存设备与商用内存模块不同。HBMDRAM容量更大，接口更宽，这使得它们的生产难度更大。生产后，每台设备都必须单独测试，以确保其符合质量、性能和功率目标。每个HBM模块将八个或十二个已知良好的HBM堆叠在一起，使用硅通孔将它们连接起来，然后将堆栈放置在基本逻辑上。为了提高HBM3E产量，美光需要增加HBMDRAM设备的产量(这可能会以生产更少的商用DRAM为代价)，确保其拥有足够的HBMDRAM测试能力，以及堆叠和TSV能力。
美光最大的HBM生产基地位于台中，该公司在那里生产DRAM、测试它们，然后组装HBM3E堆栈。据消息来源报道，该公司目前正在增加其业务的产能，但并未详细说明增加的产能。这无疑是令人欣慰的(尤其是对Nvidia而言)，尽管美光的HBM3E内存供应在2025年的大部分时间里都已售罄。
此外，据《日经新闻》报道，美光正在考虑在马来西亚建设HBM生产能力，该公司已经在马来西亚进行商品内存测试和组装。美光不太可能在马来西亚生产真正的DRAM，因为内存工厂需要数年时间才能建成和装备。但在马来西亚测试HBM3E甚至组装HBM3E是有可能的。不过，美光必须再次亲自证实这一点。
最后，据报道，美光还在其位于爱达荷州博伊西的总部为先进的HBM建立了额外的测试生产线，并在美国扩大研发设施，可能为2025年末至2026年的下一代HBM4内存做准备。