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晶体二极管
晶体二极管
固态电子器件中的半导体双端器件。起源于19世纪末，发展于30年代的点接触二极管效应，其特点是单向导通，即整流。使用不同的半导体材料、掺杂分布和几何结构，可以制造不同类型的二极管来产生、控制、接收、转换、放大信号并执行能量转换。例如，齐纳二极管可以在电源电路中提供固定的偏置电压和过压保护；雪崩二极管作为固态微波的功率源，在小型固态发射机中用作发射源。半导体光电二极管可以实现光电能量转换，可用于检测光辐射信号。半导体发光二极管可以实现电-光能量的转换，可用作指示灯、文字数字显示器、光耦合器件、光通信系统的光源等。肖特基二极管可用于微波电路中的混频、检波、调制、超高速开关、倍频和低噪声参量放大。
分类
按用途分：检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关管和光电管。
按结构分：点接触二极管和面接触二极管。
二极管最重要的特性是单向导通，其伏安特性曲线如图所示。
1.积极特征
当施加在二极管两端的直流电压(P为正，N为负)很小时(锗管小于0.1V，硅管小于0.5V)，该管不导通，处于“关”状态。当直流电压超过一定值时，灯管就会导通，电压会略有增加，电流会急剧增加(见曲线I段)。不同材料的二极管有不同的起始电压，硅管约0.5-0.7V，锗管约0.1-0.3。
2.反向特性
当二极管两端施加反向电压时，反向电流非常小。当反向电压逐渐增大时，反向电流基本保持不变。此时的电流称为反向饱和电流(见曲线II部分)。不同材料的不同二极管有不同的反向电流。硅管大约1微安到几十微安，锗管可以达到几百微安。另外，反向电流受温度变化影响较大，锗管的稳定性比硅管差。
3.击穿特性
当反向电压增加到一定值时，反向电流急剧增加。这种现象称为反向击穿(见曲线三)。此时的反向电压称为反向击穿电压。不同结构、工艺、材料的管道反向击穿电压差别很大，从1伏到几百伏，甚至高达几千伏。
4.频率特性
由于结电容的存在，当频率高到一定程度时，容抗小到PN结短路。结果二极管失去了单向导通性，无法工作。PN结面积越大，结电容越大，越不能在高频下工作。
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