三星宣布开发GDDR6W显存。这种内存旨在帮助满足未来在内存容量和内存带宽方面的要求。基本上，GDDR6W是经典GDDR和HBM之间的一种混合体。在GDDR6W中，DRAM是堆叠的。三星使用自己的扇出型晶圆级封装(FOWLP)技术来堆叠两层DRAM。
目前，三星最快的GDDR6内存(GDDR6x32)达到24Gbps。现在，GDDR6Wx64的内存带宽达到了两倍，且GDDR6W每块芯片也实现了容量翻倍，达到了4GB的容量。
GDDR6和GDDR6W之间的差异在存储器的结构中变得很明显。前者使用一个底部有BGA的PCB，通过PCB对DRAM芯片进行布线。堆栈的高度被标准化为1.1毫米。GDDR6W首先使用重分布层(RDL)，底部是BGA，然后是第一层DRAM。在此基础上再加一个RDL，它又连接了第二层的DRAM。插在封装填料中的铜柱将两个RDL连接在一起。
GDDR6W的高度只有0.7毫米，减少了36%。最重要的是，据说印刷电路板的缺失是造成高度降低的原因。底部的I/O引脚数量从32个增加到64个，这样也可以实现双倍带宽。据说该封装在其他方面与GDDR6相同。
事实上，GDDR6W应该是HBM的替代品，以下几个对比数字可以说明问题：
GDDR6W和HBM的比较
三星对比了带有八个GDDR6W芯片的"系统"或显卡/加速卡和一个带有四个HBM芯片的系统。由于I/O引脚较少，电路板设计更简单，GDDR6W允许每个引脚的带宽大大增加。最终，总的内存带宽相当接近，为1.4至1.6TB/s。
与HBM相比，GDDR6W还有一个优势，即由于内存芯片本身的热量发展而产生的妥协较少。尽管如此，从热的角度来看，两层结构的GDDR6W的表现也值得关注，特别是GDDR6X在过去已经证明它可以耐受高达100℃的温度。目前还不知道两层结构是否能够同样做到这一点。
JEDEC对GDDR6W的标准化工作应在2022年第二季度完成，三星提到笔记本电脑是可能的应用领域，但也提到AI和HPC加速器以及其GPU合作伙伴。不幸的是，三星并没有说这些是哪些，也不知道什么时候可以期待第一批产品。