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三星电子近期将过渡和推进光刻技术

时间:2023-11-03 16:51:09 来源:IT之家
导读 IT之家 11 月 3 日消息,三星电子本周向投资者透露,近期将过渡和推进光刻技术,计划 2024 年下半年向市场推出采用第二代 3nm 工艺...

IT之家 11 月 3 日消息,三星电子本周向投资者透露,近期将过渡和推进光刻技术,计划 2024 年下半年向市场推出采用第二代 3nm 工艺技术(SF3)以及量产版 4nm 工艺(SF4X)的产品。

该公司一份声明中写道:

我们计划今年下半年启动第二代 3nm 工艺、以及用于 HPC 的第 4 代 4nm 工艺的量产,进一步增强我们的技术竞争力。

由于移动需求的反弹和 HPC 需求的持续增长,预计市场将转向增长。

IT之家注:三星即将推出的 SF3 工艺技术是对其现有 SF3E 生产节点的重大升级,根据目前公布的信息,该节点仅用于制造用于加密货币挖矿的小型芯片。

三星声称,SF3 将提供更大的设计多功能性,可以在相同的单元类型中,为不同的全栅极 (GAA) 晶体管提供不同的纳米片通道宽度。

尽管三星没有直接比较 SF3 和 SF3E,但三星表示 SF3 比 SF4(4LPP、4nm 级、低功耗)有重大改进:包括在相同功率和复杂性下性能提高 22%,或者在相同频率和晶体管数量下功耗降低 34%,以及逻辑面积减少 21%。

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