导读 美光通过制造32Gb单片DDR5并将其编译为128GBDDR5RDIMM来满足对大容量内存模块不断增长的需求。该公司还概述了未来五年(直至2028年)的开发时...
美光通过制造32Gb单片DDR5并将其编译为128GBDDR5RDIMM来满足对大容量内存模块不断增长的需求。
该公司还概述了未来五年(直至2028年)的开发时间表，但奇怪的是却没有DDR6的消息。DDR4于2012年发布，DDR5RAM于八年后的2020年发布。
根据此时间表，我们预计DDR6将在2028年上市。尽管如此，笔记本电脑LPDDR5X的后续产品是低功耗压缩附加内存模块(LPCAMM)2，这是一种不同的内存外形规格，而不是LPDDR。DDR6RAM目前正在开发中，包括三星在内的公司正在开发下一代内存。但DDR6内存的商用并没有固定的日期。
通往DDR6的道路是漫长的
美光的新型DRAM运行速度高达8,000MT/s，位密度比前代产品高出45%，同时还能够以比标准规格更激进的时序延迟运行。
据AnandTech称，美光还声称，与竞争对手的产品相比，它将能效提高高达24%，并且可以缩短训练人工智能模型所需的时间。
虽然美光的路线图中明显没有DDR6，但在2024年推出128GBDDR5RDIMM后，很快就会在2024年和2025年推出高达256GB的MCRDIMM，然后是超过256GB的MRDIMM。最终的发布速度将达到12,800MT/s。这将归功于制造方面的改进，以及获得48Gb和64Gb单片DDR5的途径。
美光路线图的关键是对其1β技术的依赖，这是对硅通孔(TSV)技术的回应，迄今为止，硅通孔技术一直用于服务器的大多数高容量RDIMM。这项技术的缺点是封装会增加成本，并且缺乏能源效率。
美光在使用1β技术时，还希望很快能够达到1TBRAM模块，以满足系统对AI工作负载不断增长的需求，以及随着最好的CPU变得越来越好而激增的核心数量。