联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发顺利

9月7日消息，今日，联发科官方宣布，联发科首款采用台积电3nm工艺的天玑旗舰芯片开发顺利，日前已成功流片，预计2024年下半年上市，将成为联发科最强5GSoc。

据悉，台积电3nm拥有更强性能、功耗、良率，相较5nm工艺，3nm工艺的逻辑密度增加约60%，在相同功耗下速度提升18%，或在相同速度下功耗降低32%。

在今年7月的季度财务会议上，台积电CEO魏哲家透露，去年底开始量产的N33nm工艺，已完全通过验证，性能、良品率都达到了预期目标。

台积电3nm工艺第一代为N3B，技术上很先进很复杂，应用多达25个EUV光刻层，还有双重曝光，从而达到更高的晶体管密度，这也致使价格更贵。

第二代则是N3E，EUV光刻层减少到19个，去掉双重曝光，会便宜不少，更适合主流产品。

值得一提的是，iPhone15系列下周就要发布了，其中iPhone15Pro/ProMax机型将升级苹果A17处理器，将首发台积电3nm工艺，芯片表现如何，值得期待。