导读 TrendForce最新报告指出，DRAM与NAND快闪记忆体的现货价格短期内难以上涨，原因有二：一是市场库存充足;二是近期打击DRAM翻新品走私的行动...
TrendForce最新报告指出，DRAM与NAND快闪记忆体的现货价格短期内难以上涨，原因有二：一是市场库存充足;二是近期打击DRAM翻新品走私的行动，对DRAM价格造成进一步影响。
在DRAM市场，现货价格持续下跌，与合约价格形成鲜明对比。这是因为模组厂库存过剩，模组厂往往在现货市场上购买DRAM。此外，消费产品市场疲软也导致价格下跌，因为硬件制造商不需要比现有内存更多的内存，也不会在现货市场上购买。
导致价格下跌的另一个主要因素是中国市场打击走私，这导致重新植球的DRAM价格进一步下跌。重新植球是一种修复DRAM的技术，通过更换底部的焊球来修复，焊球用于将连接到电路板。在许多情况下，这可以使它们再次工作，但这种不如新的DRAM可靠。
回到定价问题。自5月底以来，DDR41Gx82666MT/s的平均现货价格下跌了2.54%，仅在过去一周就从1.881美元跌至1.835美元。虽然跌幅似乎并不大，但这是一致的。
同样，由于SSD制造商(其中一些制造商生产世界上最好的SSD)库存充足，现货NAND闪存市场交易疲软，尽管现货供应商降价，但需求仍未复苏。这已经导致现货价格和合约价格之间的分歧持续存在。此外，2024年第三季度的库存补充需求存在不确定性。值得注意的是，512Gb3DTLCNAND晶圆的现货价格本周下跌0.57%，至3.309美元。
总体而言，由于需求疲软，DRAM和NAND闪存市场在定价方面都面临重大挑战。TrendForce预计，由于市场动态和政府打击等外部压力，价格短期内不会回升。
本周早些时候，我们报道了Kioxia停止削减其3DNAND内存产量，并准备增加产量，这可能会提高市场份额。仅此一项举措就可能对3DNAND供应和价格产生重大影响。