导读 三星表示，它已经开发出业界首款12堆栈HBM3E12HDRAM，超越了美光科技，并可能为Nvidia的下一代AI卡奠定基础。这家韩国科技巨头的HBM3E12H提...
三星表示，它已经开发出业界首款12堆栈HBM3E12HDRAM，超越了美光科技，并可能为Nvidia的下一代AI卡奠定基础。
这家韩国科技巨头的HBM3E12H提供高达1,280GB/s的带宽和业界领先的36GB容量，比8栈HBM38H提高了50%以上。
12层HBM3E12H采用先进的热压非导电薄膜(TCNCF)，使12层产品能够满足当前HBM封装要求，同时保持与8层产品相同的高度规格。与三星的HBM38H产品相比，这些改进使其垂直密度提高了20%。
三星电子内存产品规划执行副总裁YongcheolBae表示：“业界的AI服务提供商对高容量HBM的需求越来越大，而我们全新的HBM3E12H产品正是为满足这一需求而设计的。这款全新内存解决方案是我们致力于开发高堆栈HBM核心技术并为高容量HBM市场提供技术领导地位的一部分。”
与此同时，美光已开始量产24GB8HHBM3E，将用于Nvidia最新的H200TensorCoreGPU。美光声称其HBM3E的功耗比竞争对手低30%，是生成式AI应用的理想选择。
尽管三星错过了Nvidia最昂贵的AI卡，但其36GBHBM3E12H内存在容量和带宽方面优于美光的24GB8HHBM3E。随着AI应用的不断增长，三星12HHBM3E将成为未来需要更多内存的系统的不二之选，例如Nvidia预计将于今年年底上市的B100BlackwellAI强机。
三星已经开始向客户提供36GBHBM3E12H样品，预计将于今年上半年开始量产。美光将于2024年第二季度开始出货24GB8HHBM3E。随着人工智能时代对高容量内存解决方案的需求持续激增，这两家科技巨头在HBM市场的竞争预计将加剧。