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h20r1203和h20r1202有什么区别(h20r1203)

时间:2024-03-21 07:10:15 来源:
导读 今天之间网归一为大家解答以上的问题。h20r1203和h20r1202有什么区别,h20r1203相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧!1、H20R12...

今天之间网归一为大家解答以上的问题。h20r1203和h20r1202有什么区别,h20r1203相信很多小伙伴还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1、H20R1203可以使用电磁炉IGBT管FGA25N120进行替换。

2、IGBT管的性能不能光看它的电流与反压。

3、还有饱和压降、频率响应都是重要指标。

4、就后俩参数来讲,H20R1203优于FGA25N120。

5、但差别不大。

6、所以FGA25N120是正品的话,一般都可以代换H20R1203。

7、FGA25N120为内带阻尼管的场效应管。

8、一般IGBT有三个电极, 分别称为栅极G、集电极C及发射极E。

9、扩展资料:在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。

10、如果无N+缓冲区,则正反向阻断电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此限制了IGBT 的某些应用范围。

11、IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。

12、它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。

13、在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。

14、最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。

15、动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关过程中各部分时间;另一个是开关过程中的损耗。

16、IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。

17、IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。

18、尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。

19、参考资料来源:百度百科——IGBT。

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